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以下是:江西宜春VS1-12/1000-25户内真空断路器手车式的图文介绍
断路器直流电阻增大的关键因素则是触头电磨损和断路器触头开距的变化。 5、断路器合闸跳时间增大 一般情况下，真空断路器合闸时常常会出现触头跳的情况，然而如果说跳的范围超出了规定的话就会造成触头烧伤或者熔焊。簧性能下降、拐臂和轴磨损往往会导致真空断路器合闸跳时间的增长。 6、断路器中间箱ct表面对支架放电 要断路器对支架放电是由于电流互感器(ct)表面产生的不
均匀电场。真空断路器中间箱装有电流互感器，当电流互感器不采取措施，在断路器运转时ct表面就会产生不平衡的电场。因此要尽可能的阻止这样的情况的出现就要在互感器出厂之前在其表面涂上一层半导体胶，这样就可以保证电场平衡均匀。在装配断路器时若半导体胶要是受影响出现剥落的话依然会使得断路器工作过程之中互感器表面出现不均匀电场，由此造成互感器表面对支架放电。 7、断路器灭弧室不能断开 一般
状况下，造成断路器电路断开，电流切断的主要原因是手动分闸操作以及保护动作跳闸。真空断路器的灭弧原理区别于别的类型的断路器，因为该断路器一般是将真空作为绝缘及灭弧介质。 真空泡的真空度要是无法满足要求的话常常会促成真空泡内出现电离，这必然会导致电离子出现，电离子无疑将减弱灭弧室内绝缘作用，因为这些因素断路器灭弧室就会一直处在连接状态。 8、断路器真空泡真空度降低 真空泡
的材质要是出现了故障常常说明真空泡本身也出现的细小的漏点。真空泡内波形管的材质或制作装配工艺出现故障的时候，由于真空灭弧室使用时期不断的加长和开断的次数增加真空度就会慢慢的减少，当真空度下降到无法维持规定的度数的时候就会使得它自身的开断能力减弱和耐压水平降低。
均匀电场。真空断路器中间箱装有电流互感器，当电流互感器不采取措施，在断路器运转时ct表面就会产生不平衡的电场。因此要尽可能的阻止这样的情况的出现就要在互感器出厂之前在其表面涂上一层半导体胶，这样就可以保证电场平衡均匀。在装配断路器时若半导体胶要是受影响出现剥落的话依然会使得断路器工作过程之中互感器表面出现不均匀电场，由此造成互感器表面对支架放电。 7、断路器灭弧室不能断开 一般
状况下，造成断路器电路断开，电流切断的主要原因是手动分闸操作以及保护动作跳闸。真空断路器的灭弧原理区别于别的类型的断路器，因为该断路器一般是将真空作为绝缘及灭弧介质。 真空泡的真空度要是无法满足要求的话常常会促成真空泡内出现电离，这必然会导致电离子出现，电离子无疑将减弱灭弧室内绝缘作用，因为这些因素断路器灭弧室就会一直处在连接状态。 8、断路器真空泡真空度降低 真空泡
的材质要是出现了故障常常说明真空泡本身也出现的细小的漏点。真空泡内波形管的材质或制作装配工艺出现故障的时候，由于真空灭弧室使用时期不断的加长和开断的次数增加真空度就会慢慢的减少，当真空度下降到无法维持规定的度数的时候就会使得它自身的开断能力减弱和耐压水平降低。
因此如何合理的设置铁芯以及如何合理的设计铁芯结构成为提高真空灭弧室可靠性的关键。针对杯状纵磁真空灭弧室触头，本文设计了两种不同结构的铁芯，一种是结构为环状的铁芯，为了减小涡流的影响，在环形铁芯上开一个间隙为1 mm 的断口;另一种结构为圆周方向布置的柱状铁芯，柱状铁芯相互不接触，因此可以更好的减小涡流的影响。采用有限元分析方法对比分析了两种不同结构铁
芯对纵向磁场和剩余磁场以及磁场滞后时间的影响。 触头结构模型 文中仿真所采用的两种不同铁芯结构的触头模型如图1 所示，触头杯均有4 个杯指，为了防止触头片上产生涡流，对应的在触头片上开有四个周向均匀布置的径向直槽。触头外径尺寸为78 mm，壁厚11 mm，弧柱直径与触头外径尺寸相同，柱状铁芯12 个，仿真模型中触头开距为10 mm，杯座材料为无氧铜，支撑盘材料为不锈钢，触头片材触头在高真空中分离时，其电弧表现形式与外观特性都与在空气中的情形有较大区别。真空断路器的击穿机理目前主要有场致发射、粒撞击和粒子交换
三种假说，在短间隙真空断路器的相关研究中，通常由场致发射效应占主导。在触头断开时刻，整个阴极表面会产生金属蒸气。理论上是由于触头分开瞬间，电流集中在触头表面某点上，导致金属桥熔化且部分金属原子发生电离。随着触头开距的增大，场致发射与间隙击穿增强，触头表面金属凸点不断溶化并向触头间隙补充金属粒子。此时阴极斑点会在阴极表面形成，并有更多的高能等离子体形成并扩散至间隙内。电弧引燃后，充满等离子体的电极间
隙变成良好导体，同时阳极开始向电弧提供粒子。在纵向磁场作用下，电弧等离子体由触头中心向周围扩散，此过程会维持一段时间。对于交流真空断路器而言，电流到达峰值后会逐渐减小，两触头向等离子体提供的粒子同样减少，此时电极间隙内主要为弧后残存粒子，伴随着触头完全断开，残存粒子逐渐扩散至消失，断路器完成开断。 真空电弧等离子体的产生过程，可以表现为触头开距增大、触头表面金属蒸发，伴随场致发射效应和金
属电离，由于两极电子、金属离子的不断补充，终形成电弧。在电弧等离子体的研究方面，王景、武建文等运用连续光谱法分析了电子温度和电子密度，并讨论了中频情况下，电弧过渡及扩散两种形态。胡上茂、姚学玲等利用RC 阻容式电荷收集器，对初始等离子体的触发特性进行了研究。舒胜文、黄道春等通过对真空断路器开断过程的再研究，提出数值方针结合实验的方法，给出开断过程不同阶段所需的数值仿真方法及关注点。赵子玉等通过C
CD 摄像技术，分析了真空电弧的重燃及抑制措施
芯对纵向磁场和剩余磁场以及磁场滞后时间的影响。 触头结构模型 文中仿真所采用的两种不同铁芯结构的触头模型如图1 所示，触头杯均有4 个杯指，为了防止触头片上产生涡流，对应的在触头片上开有四个周向均匀布置的径向直槽。触头外径尺寸为78 mm，壁厚11 mm，弧柱直径与触头外径尺寸相同，柱状铁芯12 个，仿真模型中触头开距为10 mm，杯座材料为无氧铜，支撑盘材料为不锈钢，触头片材触头在高真空中分离时，其电弧表现形式与外观特性都与在空气中的情形有较大区别。真空断路器的击穿机理目前主要有场致发射、粒撞击和粒子交换
三种假说，在短间隙真空断路器的相关研究中，通常由场致发射效应占主导。在触头断开时刻，整个阴极表面会产生金属蒸气。理论上是由于触头分开瞬间，电流集中在触头表面某点上，导致金属桥熔化且部分金属原子发生电离。随着触头开距的增大，场致发射与间隙击穿增强，触头表面金属凸点不断溶化并向触头间隙补充金属粒子。此时阴极斑点会在阴极表面形成，并有更多的高能等离子体形成并扩散至间隙内。电弧引燃后，充满等离子体的电极间
隙变成良好导体，同时阳极开始向电弧提供粒子。在纵向磁场作用下，电弧等离子体由触头中心向周围扩散，此过程会维持一段时间。对于交流真空断路器而言，电流到达峰值后会逐渐减小，两触头向等离子体提供的粒子同样减少，此时电极间隙内主要为弧后残存粒子，伴随着触头完全断开，残存粒子逐渐扩散至消失，断路器完成开断。 真空电弧等离子体的产生过程，可以表现为触头开距增大、触头表面金属蒸发，伴随场致发射效应和金
属电离，由于两极电子、金属离子的不断补充，终形成电弧。在电弧等离子体的研究方面，王景、武建文等运用连续光谱法分析了电子温度和电子密度，并讨论了中频情况下，电弧过渡及扩散两种形态。胡上茂、姚学玲等利用RC 阻容式电荷收集器，对初始等离子体的触发特性进行了研究。舒胜文、黄道春等通过对真空断路器开断过程的再研究，提出数值方针结合实验的方法，给出开断过程不同阶段所需的数值仿真方法及关注点。赵子玉等通过C
CD 摄像技术，分析了真空电弧的重燃及抑制措施
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